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台基股份股票-台基股份(300046)如何

发布时间:2021-06-10 21:56:19 【财经资讯】 0次阅读

摘要什么是台基股份(300046)公司名称:湖北台基半导体股份有限公司英文名称:HubeiTechSemiconductorsCo.,Ltd.股票代码:300046

什么是台基股份(300046)

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公司名称:湖北台基半导体股份有限公司英文名称:Hubei Tech Semiconductors Co., Ltd.股票代码:300046证券类别:深交所创业板A股所属行业:电子元件董事长:邢雁所属地域:湖北成立日期:2004-01-02上市日期:2010-01-20发行数量:1500万股每股发行价:41.30元发行市盈率:66.61倍公司简介:湖北台基半导体股份有限公司(以下简称公司或本公司)是2008年7月10日经中华人民共和国商务部以商资批(2008)852号批复同意,由原襄樊台基半导体有限公司整体变更设立的外商投资股份有限公司;经中国证券监督管理委员会证监许可字[2009]1462号文核准,公司公开发行1,500万股人民币普通股(A股),发行价格为每股人民币41.30元,并于2010年1月20日于深圳证券交易所挂牌上市

台基股份与韩国芯片有合作吗?


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台资股份与韩国深圳没有合作关系,他都是自己独自建设工程的。

台基股份、生益科技、华微电子、长电科技、同方股份、天通股份、有研硅股这几个股那个好?


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天通是因为关于浙江矿产问题谣言,我买过了,获利出局了。周五尾盘进的626明天冲高走人,有研硅受日本企业影响,但是最近几天资源类的不要进吧!还是买的金融类的安全

湖北台基半导体股份有限公司怎么样?


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简介:湖北台基半导体股份有限公司是2008年7月10日经中华人民共和国商务部以商资批(2008)852号批复同意,由原襄樊台基半导体有限公司整体变更设立的外商投资股份有限公司。经中国证券监督管理委员会证监许可字[2009]1462号文核准,公司公开发行1,500万股人民币普通股(A股),发行价格为每股人民币41.30元,并于2010年1月20日于深圳证券交易所挂牌上市。法定代表人:邢雁成立时间:2004-01-02注册资本:21312万人民币工商注册号:420600400000096企业类型:其他股份有限公司(上市)公司地址:湖北省襄阳市襄城区胜利街162号

台基股份(300046)如何

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湖北台基半导体股份有限公司(以下简称公司或本公司)是2008年7月10日经中华人民共和国商务部以商资批(2008)852号批复同意,由原襄樊台基半导体有限公司整体变更设立的外商投资股份有限公司;经中国证券监督管理委员会证监许可字[2009]1462号文核准,公司公开发行1,500万股人民币普通股(A股),发行价格为每股人民币41.30元,并于2010年1月20日于深圳证券交易所挂牌上市。核心题材:要点一:所属板块 创业板板块,预亏预减板块,湖北板块,电子元件板块,券商重仓板块。要点二:经营范围 功率晶闸管、整流管、电力半导体模块等大功率半导体元器件及其功率组件,汽车电子,电力半导体用散热器,各种电力电子装置的研制、生产、销售。要点三:大功率半导体器件 公司的主营业务为功率晶闸管、整流管、电力半导体模块、电力半导体用散热器等大功率半导体器件及其功率组件的研发、制造、销售及相关服务,主要产品有:大功率晶闸管(KK系列、KP系列、KS系列等,直径范围:0.5-5英寸,电流范围200A-4000A,电压范围400V-6500V);大功率半导体模块(MTC系列、MFC系列、MDS系列、MTG系列等,电流范围26A-1500A,电压范围400V-3600V);功率半导体组件;电力半导体用散热器等。公司主导产品在国内连续保持年销售量第一位,年销售收入前三位,其中在感应加热应用领域的市场占有率一直保持全国第一。截止2010年末,公司功率半导体器件年产能已达120万只。要点四:发展规划 公司的发展规划为专注功率半导体主业,晶闸管向两头拓展,加快高端(更大功率、大电流高电压)产品的研发和市场化;延展中小功率品种和规模;加大模块投资,加快向焊接式方向发展;开发FRD、IGBT、IPM等主业相关产品。适时并购重组同业和上游产业,拓展产业链。研发6500V高压晶闸管技术、FRD芯片制造技术、IGBT封装技术、焊接式模块、功率组件等。要点五:产能扩大 公司募资投入26500万元于“125万只大功率半导体器件技术升级及改扩建”项目,其中技改扩建总投资22250万元,扩充产能125万只,扩充后达到205万只,主要包括:对平板型器件组装测试线扩产55万只/年,达105万只/年;增容5万只全压接器件生产装备;对现模块组装测试线扩产70万块/年,达100万块/年;对现芯片生产线产能提高1倍至320万片/年;对现扩散中心产能提高1倍至120万片/年;研发中心投入2570万元;技术中心投入1680万元。项目建设期3年,达产后,公司大功率半导体产能将从80万只增加到205万只,产能增长156%,达到预定可使用日期为2013年01月20日(截止2011年一季度投资进度为28.46%),2011年一季度实现效益671.90万元。要点六:IGBT 公司焊接模块项目广泛应用于马达驱动、变频器、无功补偿等各类电力电子装置。焊接模块新技术研究和产品开发,组建焊接模块封装生产线并形成批量能力。并在此技术平台上,研发IGBT等新型器件的封装技术。2010年该项目小批量试制线打通,正在安装大批量生产线,粗铝丝打线机、真空焊接炉、链式炉、超声显微镜等关键设备已经完成采购,正在安装调试。要点七:技术优势 公司掌握完整的前道(扩散)技术、中道(芯片制程)技术、后道(封装测试)技术,装备水平已居国内领先并逐步达到国际先进水平。公司技术人员累计参与起草11项国家或行业标准;近年承担了国家发改委、科技部、商务部等多项产品开发项目,部分成果获得省级奖励。要点八:自愿锁定承诺 公司控股股东襄樊新仪元半导体有限责任公司承诺:“自发行人股票上市之日起36个月内,本公司不转让或者委托他人管理本公司直接或间接持有的发行人首次公开发行股票前已发行的股份,也不由发行人回购本公司直接或间接持有的发行人首次公开发行股票前已发行的股份。”

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